thesis

Contribution a l'etude des depots par plasma froid a partir de methane, effet de la frequence d'excitation du plasma

Defense date:

Jan. 1, 1991

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Institution:

Toulouse 3

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Authors:

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Abstract FR:

La presente etude porte sur le depot de films minces de carbone amorphe hydrogene par plasma a partir de methane. Nous avons analyse le comportement electrique des decharges et l'influence des parametres de la decharge (pression, densite de puissance et frequence) sur la cinetique de croissance, la structure et les proprietes des films a-c: h. Pour le depot des films, deux types de reacteurs ont ete utilises: 1) un reacteur plasma, basse frequence (20 khz) a electrodes coplanaires; 2) un reacteur plasma, haute frequence, relie a un systeme d'excitation du type: -l. C. Ro-box fonctionnant dans la gamme de frequence 13. 56-100 mhz, -stub ro-box dans la gamme 500-1000 mhz. La premiere partie porte sur l'etude de la caracteristique electrique de la decharge a 20 khz, elle nous a permis de mettre en evidence deux zones de travail donnant lieu a des films differents. Nous avons montre, grace aux analyses de structures: esca, eels, raman et ir, que les films sont principalement constitues de carbone amorphe avec la presence d'ilots de carbone graphite, avec toutefois une teneur en graphite plus importante pour les films prepares a forte energie. Nous avons montre que la reponse electrique non-lineaire des films est liee a la quantite de graphite presente dans le materiau. L'etude de la reponse en alternatif (permittivite complexe et pertes dielectriques) a mis en evidence un pic de relaxation pour les films prepares a forte energie, interprete comme une polarisation par charges d'espaces. La reponse a un echelon de tension, montre qu'en regime permanent on est en presence de courants limites par charges d'espaces. La deuxieme partie porte sur l'etude de l'influence des parametres du plasma (p, w, t) sur la cinetique de croissance. Une attention specifique est portee au role de la frequence d'excitation du plasma, qui montre les taux de croissance sont sensibles a ce parametre