Abstract FR:

Les possibilites d'analyses electroniques et chimiques des spectroscopies de photoelectrons (xps), photoabsorption (nexafs) et auger resonante (raes) ont ete etudiees en considerant trois systemes chimiques differents: l'interface si/sio 2, des molecules d'hydrocarbure insaturees sur silicium et un film de polymere (le poly(4-hydroxystyrene), note phs). Il ressort que l'xps haute resolution du niveau de cur si 2p, appliquee aux surfaces de silicium oxydees apporte des informations sur le desordre statique a l'interface et sur les effets de seconds voisins oxygenes sur les couches de silicium-element proches de l'interface. Cependant, cette technique atteint une limite en tant que sonde chimique dans le cas particulier des especes hsio n et sio n (n 3) qu'elle ne peut distinguer l'une de l'autre. Lors de l'exposition des surfaces de silicium a des hydrocarbures insatures (ethylene, 1,5-cyclooctadiene, 1,4-pentadiene et 1,7-octadiene), la comparaison de l'intensite du pic xps si 2p associe aux etats de surface, avec celle du spectre xps c 1s confirme que les seuls sites d'adsorption des molecules sur la surface si(001)21 sont les dimeres si 2. En revanche, sur la surface si(111)77, le modele d'adsorption n'impliquant que les restatomes et les adatomes est remis en cause. Par ailleurs, la spectroscopie nexafs apporte la preuve que les dienes non conjugues sont chimisorbes sur la surface si(001)21 par une seule de leurs deux doubles liaisons c=c, l'autre restant disponible pour une reaction ulterieure. L'etat pi* ne se couple pas avec les etats du silicium ni ne participe a la formation d'etats etendus meme a fort taux de couverture, comme l'indique la raes realisee au seuil c k. Enfin, en excitant selectivement des atomes