Abstract FR:

Les phénomènes de transport non-stationnaires sont importants dans les Transistors Bi à Hétérojonctions abruptes. Des simulations à l'aide d'an modèle particulaire de Monte-Carlo nous ont permis d'établir l'existence d'un courant thermoïnique à travers l'hétérojonction émetteur-base et de deux populations électroniques dans la base: une quasi-balistique et l’autre «relaxée en. Vitesse». Le «Spike» de l’hétérojonction abrupte base-collecteur opère une collection sélective des électrons ayant une vitesse orthogonale suffisante pour franchir cette barrière. A partir d'empilements GaAlInAs/GaInAs/GaAlInAs épitaxiés par jets moléculaires des Transistors Bipolaires à Hétérojonctions ont été réalisés avec des techniques d’isolation par double mesa. L'insertion d'espaceurs dans la jonction base-collecteur et émetteur-base améliore le comportement statique des transistors (gain supérieur à 1200) tout en préservant le caractère abrupte des hétérojonctions. Un modèle analytique a été développé pour réaliser le calcul rapide des caractéristiques du transistor. Il est en bon accord avec à la fois les résultats de la simulation Monte-Carlo et ceux de l'expérience. Les résultats de cette étude montrent le grand intérêt porté au Transistor Bipolaire à Hétérojonction qui dans le système InP/GaInAs devrait fournir dispositif très rapide pour l'optoélectronique à 1, 6 micromètre.