Abstract FR:

L'interdiffusion est le phenomene de diffusion des atomes d'une heterostructure sur leur sous-reseau cristallin respectif, ce qui peut aboutir a la formation d'un alliage homogene monocristallin de composition moyenne des couches originales. Dans le premier chapitre, nous introduisons les principaux defauts cristallins dans les semiconducteurs iii-v avant de presenter le phenomene de l'auto-diffusion des atomes du cristal. Ensuite nous analysons les differentes theories d'interdiffusion induite par les impuretes. Le deuxieme chapitre explique les differentes techniques utilisees pour induire l'interdiffusion dans les semiconducteurs iii-v. Pour chaque methode, nous donnons un resume des resultats experimentaux dans la litterature. Dans le chapitre iii, nous presentons les resultats de nos experiences d'interdiffusion dans le systeme algaas/gaas. Il s'agit de l'interdiffusion par defauts d'une heterostructure a confinement separe a gradient d'indice (grinsch) et de l'interdiffusion assistee par recuit laser d'un superreseau alas/gaas. Le chapitre iv traite de l'interdiffusion dans le systeme ingaas(p)/inp adapte en maille. Apres une revue des resultats recents sur l'interdiffusion par diffusion thermique et par implantation ionique dans ce systeme, nous presentons nos experiences sur l'interdiffusion par implantation de germanium dans les puits quantiques et les superreseaux ingaas/inp. Nous montrons ensuite que l'interdiffusion par implantation de germanium peut etre utilisee pour fabriquer des guides d'ondes passifs. Dans le cinquieme chapitre, nous traitons de l'interdiffusion dans les heterostructures inga(as)p/gaas adaptees en maille. L'interdiffusion des puits quantiques ingap/gaas par diffusion thermique de zinc est demontree pour la premiere fois a des temperatures inferieures a celles qui menent a l'interdiffusion thermique. Les premiers resultats d'interdiffusion par implantation ionique de silicium dans les superreseaux ingap/gaas sont presentes