thesis

Etude et caracterisation des defauts microscopiques du tellure de cadmium

Defense date:

Jan. 1, 1989

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Abstract FR:

Les niveaux des defauts dans la bande interdite du semiconducteur sont etudies ainsi que les phenomenes de transport et les proprietes optiques. On note des effets remarquables de passivation et de modification des defauts par hydrogenation