Abstract FR:

Le sujet de cette these est l'etude des defauts dans l'arseniure de gallium. Les defauts sont caracterises par la spectroscopie de la resonance paramagnetique electronique. Nous mettons en evidence pour la premiere fois par rpe la lacune de gallium et l'antisite de gallium qui sont observes dans les echantillons de type p et semi-isolant apres irradiation electronique. Nous rapportons leurs proprietes physiques concernant l'etat de charge, le niveau d'energie, la symetrie locale, le taux d'introduction et la stabilite thermique. Nous presentons nos resultats des defauts lies a l'antisite d'arsenic aussi bien dans les echantillons massifs irradies que dans les couches epitaxiales de gaas elaborees par le jet moleculaire a basse temperature. Nous rapportons egalement nos resultats de la recherche des lacunes d'arsenic. Les observations experimentales sont analysees dans le contexte des calculs theoriques en liaisons fortes dans un formalisme des fonctions de green