Abstract FR:

La spectroscopie d'absorption xanes polarisee au seuil l3 du cuivre a ete utilisee dans l'etude de la symetrie des porteurs de charge itinerants dans les plans cuo2 des oxydes de cuivre supraconducteurs. Une analyse systematique a ete conduite en fonction du dopage, sur plusieurs classes de films orientes et monocristaux, dans le but d'une evaluation directe du taux de remplissage de la bande 3d et de la symetrie des porteurs itinerants. Les spectres xanes polarises, au seuil k et l3 du cuivre, de bi#2sr#2cacu#2o#8 et la#2##xsr#xcuo#4 ont ete prealablement interpretes dans le cadre de la theorie de la diffusion multiple en simulant les spectres dans un domaine de 20 ev au-dela du seuil, ce qui nous a permis d'interpreter les structures experimentales et d'identifier le caractere localise ou delocalise des porteurs de charge induits par dopage. Une analyse conjuguee des seuils d'absorption polarises a permis d'identifier la symetrie des bandes de conduction sur le meme domaine. La mise au point d'un ensemble experimental de detection de fluorescence, dans le domaine du kev, a ete un apport considerable pour la spectroscopie d'absorption des rayons x mous appliquee aux materiaux dilues ou massifs concentres. Les effets, dits de reabsorption et la comparaison de cette technique avec le rendement total d'electrons ont ete discutes