thesis
Plasticité de GaAs en fonction du dopage électronique
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Etude entre 650 et 150**(o)c. Proposition d'un modele dans lequel la dyssimetrie de mobilite des partielles constituant une dislocation vis favorise non seulement la nucleation de fautes etendues, mais aussi la restauration de la sous-structure par glissement devie sous forte contrainte