Abstract FR:

La nitruration superficielle des couches d'oxyde de silicium d'épaisseur 45 nm est réalisée a haute température (1060c) par la technique r. T. N (rapid thermal nitridation) pendant une durée variant de quelques secondes a une dizaine de minutes. L'analyse physico-chimique (x. P. S) a permis de mettre en évidence la nitruration de la surface de la couche d'oxyde et de contrôler les phénomènes de migration d'azote a l'interface si/sio#2. Le pic d'azote a l'interface apparait des 60 secondes, le coefficient de diffusion diminue rapidement et atteint 3,37 10##1#4 cm#2/s a 10 minutes. La caractérisation électrique des structures de test al/oxyde nitrure/si(n) a 1 mhz nous a permis, d'une part, d'établir une corrélation entre la constante diélectrique et l'indice moyen de réfraction optique, d'autre part, de suivre l'évolution de la tension de bandes plates, de la charge image dans l'isolant, de la tension de claquage et de la rigidité diélectrique du matériau en fonction de la nitruration. La méthode b. T. S. (bias temperature stress) a révélé l'existence de charges mobiles dans nos structures. L'ensemble de ces résultats a permis d'interpréter correctement la dégradation des éléments mis sous contraintes électrique et thermique.