Abstract FR:

Des depots de metaux cristallisant selon differents reseaux de bravais ont ete realises sur des echantillons de cuivre, par la methode electrolytique (pour fe, cr, zn, pb) et exceptionnellement dans le cas du tungstene, en faisant appel au depot chimique en phase gazeuse. L'objectif etait d'obtenir, par des conditions experimentales appropriees, des couches presentant des relations d'epitaxie par rapport au substrat, de determiner ces relations par diffraction des rayons x (methode de laue en retour), et d'essayer de degager des regles regissant la formation de ces depots orientes, par une etude systematique a la fois sur des plans simples et sur des plans d'indices de miller eleves. Dans le cas ou la taille de l'atome depose est voisine de celle de l'atome de cuivre, ont pu ainsi etre mis en evidence: 1) le quasi-parallelisme d'une direction dense du depot a la direction dense du cuivre contenue dans la surface ou qui en est la plus proche; 2) l'edification sur chacune des facettes qui constituent un plan autre qu'un plan simple, d'un plan du metal depose le plus dense possible, la meilleure coincidence se faisant pour la facette du cuivre la moins inclinee par rapport a la surface; 3) la variation progressive des relations d'epitaxie quand la surface du substrat passe d'un plan simple a un autre plan simple. La complexite des resultats obtenus dans le cas du depot de plomb a egalement prouve l'influence de la taille de l'atome depose