thesis

Nettoyage de surface et depot de silicium en plasma multipolaire micro-onde : application a l'epitaxie a basse temperature

Defense date:

Jan. 1, 1989

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Institution:

Paris 7

Disciplines:

Directors:

Abstract EN:

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Abstract FR:

Developpement d'un plasma multipolaire micro-onde excite par resonance cyclotronique electronique; production a basse pression (0,1 pa), d'un plasma homogene de densite elevee avec des ions d'energie controlable de 1 a 100 ev. Caracterisation chimique (spectrometrie des electrons auger) et cristallographique (diffraction d'electrons lents) de la surface des substrats de silicium; etude de l'etat de surface apres interaction avec le plasma. Caracteristiques physico-chimiques et electriques des couches epitaxiques