thesis

Anisotropie de resistivite et couplage josephson dans les cuprates. Supraconducteurs bi#2#-#xpb#xsr#2cacu#2o#8#+#y

Defense date:

Jan. 1, 1994

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Institution:

Paris 6

Disciplines:

Directors:

Abstract EN:

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Abstract FR:

Nous presentons dans ce memoire, les resultats d'une etude experimentale visant a apporter des elements de connaissance et de comprehension sur l'extension tridimensionnelle de la supraconductivite des cuprates supraconducteurs, c'est a dire entre les plans cu-o#2. Dans le compose bi#2#-#xpb#xsr#2cacu#2o#8#+#y, une interaction de type josephson prend place entre ces plans. Un monocristal est donc constitue, perpendiculairement a ces plans d'un empilement de jonctions josephson en serie. Nos investigations ont porte sur l'anisotropie de resistivite et ce couplage josephson. Nous avons correle des mesures de ces proprietes physiques a la substitution partielle du bismuth par du plomb. Nous montrons que cette substitution constitue, un moyen tres efficace d'augmenter le couplage electronique, perpendiculairement aux plans cu-o#2. Nous montrons qu'au cours de la substitution partielle du bismuth par le plomb: la composante de la resistivite perpendiculaire aux plans cu-o#2 decroit et le couplage josephson entre les plans cu-o#2 d'une jonction intrinseque augmente. Nos resultats indiquent aussi qu'un accroissement du couplage dynamique entre les jonctions pourrait etre favorise par cette substitution. En considerant les modifications structurales induites par cette substitution, nous predisons l'evolution de la structure electronique qu'elle est susceptible de produire: une augmentation de la densite d'etats au niveau de fermi, une augmentation du dopage des plans cu-o#2 et une participation des plans bi-o a l'etat metallique de ce compose. Cela nous conduit a proposer de correler ces predictions a nos resultats experimentaux. Enfin, pour accroitre la fiabilite des mesures sur l'effet josephson intrinseque, nous avons mis au point un procede technologique de preparation de mesas. Son interet reside dans le controle de la geometrie de ces objets, la possibilite d'operer de multiples recuits (c'est a dire faire varier le dopage) et dans la demonstration de la faisabilite de dispositifs sur la base d'un monocristal