Abstract FR:

Etude du dopage p**(+) dans inp par implantation d'accepteurs peu profonds: be, mg, zn, hg. Caracterisation du desordre cree par diffusion raman; etude au degre de recristallisation apres recuit d'implantation. Etude par emission photoelectronique rx d'une contamination de surface. Determination de profils d'impuretes. Les profils de concentration de porteurs ont ete analyses par effet hall et mesures electrochimiques. Etude du coefficient de diffusion du zinc par la methode de boltzmann-matano