Abstract FR:

Le premier chapitre est consacre a la caracterisation du poste exafs iv au lure: une attention particuliere est apportee a la mesure du taux de rejection des harmoniques par des miroirs en verre ainsi qu'aux performances d'un compteur proportionnel bidimensionnel utilise comme detecteur de fluorescence. Le second chapitre montre que les detecteurs silicium implantes et passives utilises en mode photovoltaique peuvent remplacer avantageusement les chambres a ionisation. Un ensemble homogene de detection constitue d'une diode de 30 m et d'une diode de 200 m a permis d'augmenter sensiblement la vitesse d'acquisition des spectres exafs. Il est montre de meme, que l'association d'un detecteur silicium multipiste avec un systeme base sur la microelectronique analogique peut constituer un systeme de choix pour les etudes exafs par fluorescence mais aussi pour toutes les experiences necessitant une bonne resolution spatiale. Dans la derniere partie, nous presentons nos reflexions concernant l'analyse des donnees exafs. Nous montrons en particulier l'interet d'utiliser une fenetre d'apodisation polynomiale et de mener l'analyse quantitative dans le domaine frequentiel plutot que dans le domaine reel. Pour finir, les resultats de l'etude structurale d'oxydes de germanium amorphes obtenus par pulverisation cathodique sont presentes et discutes