Abstract FR:

Etude des effets de dopage par implantation de bore et de phosphore. Etude du role des defauts d'irradiation dans des couches implantees au silicium. Les couches implantees et non implantees sont cristallisees en phase solide par recuit thermique a basse temperature. Etude de la taille des grains, de la texture, de la morphologie de surface et de la conductivite electriques des couches en fonction de la concentration d'ions implantes