Abstract FR:

Ce travail a pour objectif principal l'etude des contacts entre le silicium polycristallin dope phosphore et l'ito (indium tin oxide) en vue de la realisation de transistors en couches minces. La technologie developpee au cnet impose la mise au point de contacts ohmiques entre l'ito et le silicium polycristallin dope. Deux techniques de depot de cette couche dopee ont ete utilisees: pecvd (plasma enhanced chemical vapor deposition) et lpcvd (low pressure cvd). Nous avons clairement demontre que seul le depot sur ito par lpvcd permet l'obtention d'un contact ohmique et donc des caracteristiques de transistors satisfaisantes. Une etude approfondie des structures ito/si-pecvd et ito/si-lpcvd par des methodes physico-chimiques (sims, met sur la tranche) a prouve l'existence dans les deux cas d'une couche d'interface. Les mecanismes de conduction a travers cette couche sont cependant differents: effet poole-frenckel donnant lieu a un contact redresseur dans le cas du pecvd, conduction par sauts se traduisant par un contact ohmique dans le cas du lpcvd