Nouveaux complexes de ruthénium riches en carbone pour l'élaboration de fils et interrupteurs moléculaires originaux
Institution:
Rennes 1Disciplines:
Directors:
Abstract EN:
The first part of this work deals with the synthesis and characterization of new magnetic redox switches based on the association of paramagnetic units such as nitronyl nitroxide, or copper and manganese compounds with ruthenium carbon-rich acetylides. The aim was to modulate the magnetic properties by changing the oxidation state of the ruthenium center. The second part treats of the association of different trivalent lanthanide ions with acetylide carbon-rich ruthenium complexes in order to achieve the first redox modulation of lanthanide luminescence. The third part deals with the synthesis and the study of new asymmetric bimetallic molecular wires to get an efficient electronic delocalization all over the asymmetric compounds. The last part reports the synthesis and the study of new model compounds in order to further realize the grafting on gold surface of the molecular switches obtained in the first two parts. The aim was to retain the switching properties observed in solution within the SAMs.
Abstract FR:
RLa première partie de ce travail est consacrée à l’étude de nouveaux interrupteurs moléculaires redox magnétiques, basés sur l’association d’unités paramagnétiques de cuivre, de manganèse, ou de radicaux nitronyle nitroxydes, avec des complexes de ruthénium de type acétylure. L’objectif est d’observer une modulation redox des propriétés magnétiques de ces composés. La seconde partie traite de l’association de divers ions trivalents lanthanides à un complexe de ruthénium acétylure pour réaliser la première modulation redox de la luminescence des lanthanides. La troisième partie présente la synthèse et l’étude de nouveaux fils moléculaires bimétalliques asymétriques dans le but d’obtenir l’un des premiers exemples de système asymétrique permettant une excellente délocalisation électronique dans l’état oxydé. Enfin, la dernière partie aborde la synthèse et l’étude de précurseurs pour le greffage sur surfaces des interrupteurs obtenus dans les parties précédentes, via la formation de SAMs.