Abstract FR:

Etude des diffusions anormales d'impuretes observees aux interfaces dans une heteroepitaxie et plus particulierement de la diffusion de ga dans une couche cdte epitaxique sur un support gaas. Presentation de deux modeles analytiques de diffusion d'impuretes dans une couche epitaxiee en cours de croissance. Les resultats suggerent que la segregation en surface et que les contraintes sont a l'origine de l'exces de ga sur la surface exterieure de cdte