Abstract FR:

Determination par diffraction rx haute resolution des parametres cristallins de couches epitaxiques de gaalas ou gainas deposees sur les supports si, ge, ga, as, gap, inp et inas, en fonction de la temperature. Les coefficients de dilatation sont determines sur des materiaux relaxes et une extrapolation a d'autres systemes est possible. L'accord parametrique pour gaalas est realise a une temperature superieure a la temperature de depot et pour gainas, cet accord est realise a une temperature de depot dependant du taux de substitution ga/in