Abstract FR:

Ce memoire presente une etude sur la croissance par epitaxie par jets moleculaires sources gazeuses de structures a multipuits quantiques dans le systeme ingaasp/ingaas en vue de realiser des lasers a emission monomode a 1,55 m. Nous avons tout d'abord montre que l'ejmsg est une technique de croissance bien adaptee a l'obtention de couches homogenes aussi bien en epaisseur qu'en composition sur de grandes surfaces (52 mm de diametre: deux pouces). Les structures puits quantiques epitaxiees par ejmsg se caracterisent par des interfaces abruptes et des puits d'epaisseur bien definie, comme le montrent les differentes techniques de caracterisations utilisees. L'optimisation des conditions de croissance des materiaux (temperature du substrat) et de la structure verticale du laser (nombre de puits, epaisseur de la cavite optique) nous ont permis de realiser des lasers a puits quantiques a faible densite de courant de seuil (530 a/cm#2). La realisation de lasers monomodes a demande la maitrise de la croissance sur un substrat dans lequel a ete grave un reseau de diffraction. Nous avons mis au point les conditions de reprise sur reseau, montrant l'importance du nettoyage et du recuit in situ de ces substrats graves. Les lasers ainsi realises se caracterisent par des courants de seuil faibles (20 ma), des puissances eleves (40 mv) et de tres faibles largeurs de raie (<1 mhz). L'ensemble de ces resultats montre la maturite de la technique ejmsg pour la fabrication d'heterostructures puits quantiques a emission monomode