Abstract FR:

Dans la premiere partie de cet ouvrage, sont etudies les transferts electroniques pour les systemes ti/tio2/electrolyte. La vitesse de reaction de transfert de charge a l'interface est liee a l'epaisseur de la couche d'oxyde. Le comportement semiconducteur de type (n) des oxydes de titane permet d'utiliser les structures ti/tio2 pour des reactions cathodiques. La modification des structures par un depot de platine modifie considerablement la cinetique du transfert electronique avec un couple redox en solution. Cette cinetique est etudiee dans la seconde partie par spectroscopie d'impedance. Pour les deux systemes etudies, un processus de transfert electronique par effet tunnel via des etats intermediaires est propose. La derniere partie du memoire regroupe les resultats des analyses physico-chimiques (esca, rbs, diffraction des rayons x, afm, meb) qui ont ete employees pour caracteriser les interfaces (epaisseur et composition des couches,)