Abstract FR:

Des films cu#xmo#6s#8 ont ete synthetises, pour la premiere fois, par ablation laser. Grace a une etude approfondie des conditions de depot et malgre la complexite structurale du materiau, nous sommes parvenus a maitriser la croissance cristalline qui varie selon les substrats utilises. Sur des substrats monocristallins tels que le saphir oriente r ou c, cu#xmo#6s#8 presente une croissance epitaxiale, ce qui n'avait encore jamais ete obtenue auparavant, selon une orientation preferentielle (100)#r#h. Sur saphir r, l'orientation dans le plan se caracterise par l'existence de deux familles de rhomboedres, tournees a 180 l'une de l'autre. Sur des substrats de symetrie cubique tels que mgo (100) ou y : zro#2 (100), l'orientation est tres differente, en effet le materiau suit une croissance epitaxiale complexe selon (120)#r#h impliquant la coexistence de plusieurs familles dans le plan. Sur des films cu#2mo#6s#8 supraconducteurs deposes sur al#2o#3-r, nous avons montre que la microstructure n'influence pas la transition qui se situe pres de 10 k, mais qu'elle joue un role important sur les densites de courant critique, j#c, dans la mesure ou j#c diminue lorsque la qualite cristalline augmente : sur un film sans orientation preferentielle j#c(4 t, 4,2 k) est proche de 10#9 a. M##2 alors que pour le film presentant la meilleure croissance epitaxiale, j#c(4 t, 4,2 k) est de quelques 10#5 a. M##2. Ceci illustre le role des defauts cristallins sur l'ancrage des vortex et permet d'envisager des etudes plus fines des relations entre microstructure et proprietes de transport. Le compose cu#xmo#6s#8 est connu pour ses proprietes d'intercalation-desintercalation. Par voie chimique, en milieu acide, nous avons reussi a desintercaler le cuivre du film, et par transport en phase gazeuse, nous avons realise l'insertion de gros cations tels que le plomb ou l'etain obtenant ainsi des films d'une phase de chevrel a gros cations. Une etude comparative par voie electrochimique a ete menee.