EPVOM des borures B(In)GaAs / GaAs : caractérisations optiques de puits quantiques de BInGaAs / GaAs
Institution:
Lyon 1Disciplines:
Directors:
Abstract EN:
BGaAs and BInGaAs alloys have been grown by MOVPE. Incorporating boron in the ternary alloy InGaAs is a promising way to develop active materials for 1. 3 μm laser diodes. The epitaxial layers were grown on GaAs substrates using diborane, triethygallium, arsine and trimethyindium. The influence of growth conditions on boron solubility and boron incorporation was studied. Surface morphologies and growth mode were analysed by atomic force microscopy. BInGaAs / GaAs single quantum wells were also elaborated. Optical characterizations of these structures were performed by photoluminescence (PL) intensity. Boron incorporation strongly decreases PL intensity. A low temperatures, localization of carriers was evidenced which could be induced by thickness and/or indium composition fluctuations. At higher temperatures, radiative recombinations from EH become predominant
Abstract FR:
Les matériaux BGaAs et BInGaAs ont été élaborés par EPVOM sur GaAs. Ces matériaux sont proposés comme voie possible pour l'émission à 1,3 μm sur substrats de GaAs. Les précurseurs utilisés pour la croissance de ces matériaux sont le diborane, le triéthylgallium, l'arsine et le triméthylindium. L'incorporation et la solubilité du bore ont été étudiées en fonction des paramètres de croissance. Le mode de croissance des couches de B(In)GaAs a été exploré par microscopie à force atomique. L'épitaxie de puits quantiques de BInGaAs / GaAs a également été réalisée. Les propriétés optiques de ces puits ont été caractéristisées par photoluminiscence (PL). L'incorporation de bore dégrade fortement l'intensité de PL du matériau. L'émission de PL à basse température pourrait être attribuée à la recombinaison d'excitons localisés piégés dans des puits de potentiel. A plus haute température, elle est dominée par la transition E1H1 du puits