Abstract FR:

Les stades initiaux de l'adsorption de nh#3 sur des surfaces propres de silicium ont ete etudies dans l'intervalle entre 10##2 et 10#2 langmuirs (1l=10##6 torr1 s). Differentes surfaces furent comparees, les nominales si(111) 21, si(111) 77, si(100) 21 et les vicinales si(100) a marches. Dans tous les cas, l'adsorption sature avec la disparition de tous les etats de liaisons pendantes de la surface propre. L'energie d'ionisation decroit de 0. 25 a 0. 6 ev selon la face du cristal et la reconstruction: le dipole induit est le plus faible sur la surface rugueuse si(111) 77, et le plus grand sur les surfaces lisses si(100) 21. La cinetique d'adsorption montre un processus a 2 etapes; changeant a la mi-saturation, sur les surfaces bien ordonnees si(111) 77 et si(100) 21. Les surfaces a defauts (marches) comme les (100) vicinales, ou les surfaces contenant une reserve d'energie assez grande comme les (111) 21 demeurent fortement reactives jusqu'a la saturation. Finalement, la saturation se produit pour une molecule nh#3 par 2 liaisons pendantes sur les surfaces si(111) 77 et pour une molecule nh#3 pour 4 liaisons pendantes sur les surfaces si(111) 21 et si(100) 21. Les resultats sont discutes dans le cadre d'une adsorption dissociative ou chaque molecule nh#3 est divisee en un radical nh#2 et un atome hydrogene. Les etapes de desorption thermique semblent aller dans le sens d'une telle dissociation