Abstract FR:

L'oxydation isotherme de sic monocristallin et polycristallin a ete etudiee sous air, o#2 et o#2 humide, dans un domaine de temperatures compris entre 1070 et 1405#oc. La croissance de la couche d'oxyde (sio#2) est controlee par la diffusion en volume de l'oxygene par l'intermediaire de lacunes. Le carbone diffuse de l'interface (sio#2/sic) vers la surface externe sous forme elementaire (liaison c-c). Les phases co et/ou sio ne controlent pas la croissance de la couche d'oxyde. Les bulles formees sur la surface de l'oxyde sont dues au bore initialement present dans le substrat. L'etude du comportement diffusionnel de #1#3c et #2#9si implantes (610#1#6 ions/cm#2, 100 kev et 180 kev) dans sic monocristallin et polycristallin a ete realisee entre 1600 et 1900#oc. La couche implantee devient amorphe apres les implantations, et elle recristallise par epitaxie au cours de traitements thermiques. Les atomes implantes diffusent toujours vers la surface et sont bien distincts des atomes du reseau; en profondeur, ils sont pieges. La diffusion des atomes dans la couche implantee est une fonction de la profondeur et les valeurs sont plus petites que celles trouvees pour la diffusion de ces elements dans sic a partir de depots