Abstract FR:

Nous avons etudie l'une des etapes courantes de la fabrication des circuits integres, c'est-a-dire la gravure de l'oxyde de silicium. Afin de controler la temperature du substrat sous plasma, nous avons introduit entre le substrat et l'electrode refroidie a l'azote liquide un systeme de clampage electrostatique. Nous avons etudie differents materiaux et experimente la maniere de les assembler afin que l'ensemble resiste a des variations de temperature de l'ordre de 200 degres. Les connecteurs amenant la haute-tension au travers de l'electrode r. F. Ont ete fiabilises. L'ensemble a ete integre dans un reacteur prototype surfaguide, et son efficacite comparee a celle du clampage mecanique. Ce reacteur de haute densite couple une decharge micro-onde a un plasma r. F. Qui permet de separer la production des ions de leur energie. Pour des raisons de disponibilite nous avons conserve un systeme de clampage mecanique pour mener une etude de procede de gravure de sio#2, avec differents masques, en resine ou metalliques. L'utilisation de chimies c#2f#6, chf#3/o#2 ou cf#4, et de masques de resine monocouche, ne permet pas d'obtenir une selectivite superieure a 1. Le meilleur compromis vitesse, selectivite et anisotropie, a ete obtenu avec un masque de tungstene, soit une anisotropie superieure a 0,9 pour une profondeur gravee de 10 microns. Pour des epaisseurs superieures, il faudra utiliser des masques d'aluminium, assurant une selectivite presque infinie, avec une chimie non-polymerisante et une faible energie ionique