Abstract FR:

Le silicium polycristallin contient des impuretes chimiques (elements metalliques, legers dont l'oxygene et le carbone) qui diminuent le rendement de conversion photovoltaique. La caracterisation des elements legers presentes dans le silicium necessite le recours a des techniques specifiques. Les methodes nucleaires permettent des mesures absolues des concentrations, soit en profil (erd: detection des reculs elastiques, nr: reactions nucleaires), soit en volume avec l'activation par particules chargees (cpa) qui permet des determinations precises (partie par million) pour les elements o, c, b. La spectroscopie infrarouge est une methode optique qui conduit a determiner les concentrations, en niveaux relatifs, des especes moleculaires formees par les liaisons des impuretes o, c, h, n, b avec les atomes de silicium. Nous avons obtenu la calibration absolue de la spectroscopie infrarouge a l'aide de mesures absolues du carbone et de l'oxygene par activation. Des recuits thermiques longs menes sur des bicristaux et des polycristaux examines avec une resolution spatiale de 300 micrometres montrent que la diffusion des atomes d'oxygene et de silicium interstitiels au niveau de joints de grains est compatible avec les valeurs des coefficients de diffusion volumiques. La presence des formes de la silice et du carbure de silicium est observee sur les joints de grain par mesures infrarouges localisees