Abstract FR:

Les problemes poses par l'utilisation des hydrures, comme sources d'element v (toxicite, stabilite) pour la croissance des semiconducteurs, ont conduit a la recherche de sources de substitution. Le tertiarybutylphosphine (tbp) apparait comme l'un des meilleurs candidats. A cette fin, nous avons etudie l'adsorption du tbp sur la surface d'inp(100) nettoyee selon differentes procedures. L'etude par spectroscopie d'electrons auger (aes) a montre que les procedures de nettoyage d'inp par recuit sous flux de tbp non precraque ou par recuit sous ultravide permettent de desoxyder la surface et d'eliminer les contaminations superficielles mais ne semblent pas aptes a obtenir une surface exempte de carbone. En revanche l'etude du recuit sous hydrogene atomique a abouti a l'elimination complete de l'oxygene et du carbone sans degrader la surface. Les etudes d'adsorption par (aes) et par spectroscopie infrarouge de surface (sirs) ont permis de mettre en evidence une adsorption d'une monocouche de tbp a temperature ambiante sur la surface d'inp recuite sous ultravide. Un modele reactionnel sur la base des resultats obtenus a ete propose. Il a ete demontre que le tbp se chimisorbe de maniere dissociative et que les fragments sont essentiellement, l'ethylene et l'ethylphosphine qui se desorbent si le substrat est chauffe