Abstract FR:

Le but de cette these est de tirer parti des potentialites des antimoniures pour la realisation de composants optoelectroniques a 1,55 m. La technique de croissance retenue est l'epitaxie par jets moleculaires. En premiere partie, nous ferons le point sur l'etat de la recherche en matiere de composants optoelectroniques pour les telecommunications. Le deuxieme chapitre sera consacre a la description de l'epitaxie par jets moleculaires et le troisieme, aux differentes methodes de caracterisation employees. Le chapitre quatre presentera nos resultats sur la realisation de couches simples (gasb, algasb, gainassb, algaassb). Ces resultats nous ont servi pour la realisation de structures complexes, decrites dans le chapitre cinq. Il s'agit de multipuits quantiques alsb/gasb, interessants pour la fabrication de photorefractifs et de reflecteurs de bragg al(as)sb/alga(as)sb