Abstract FR:

L'oxydation du silicium monocristallin est une etape importante de la technologie m. O. S. (metal-oxide-semiconductor). Les temperatures (!000c) et les durees d'oxydation relativement elevees creent des defauts structuraux notamment prejudiciables a toute miniaturisation. Afin de palier a cet inconvenient, l'utilisation de pressions d'oxygene elevees, du fait de l'accroissement de la reactivite, s'averait une voie interessante pour abaisser la temperature. Des etudes d'oxydation ont ete menees en oxygene sec dans un domaine inexplore (14p000 bar) (600t80c). Sur la base du modele de deal et grove les constantes de vitesse ont ete definies ainsi que leur dependance vis-a-vis du parametre pression. Les couches d'oxyde elaborees dans de telles conditions ont ete caracterisees tant au niveau des proprietes physico-chimiques qu'electriques. Ces travaux tout en apportant des resultats fondamentaux originaux constituent une ouverture pour la micro-electronique dans la mesure ou l'abaissement des temperatures d'oxydation sous pression peut conduire a des applications industrielles