Abstract FR:

Apres avoir rappele les principaux modeles permettant une approche des phenomenes physicochimiques mis en jeu dans la croissance a partir d'une phase vapeur, une etude thermodynamique et cinetique de la cvd du silicium est menee a l'aide d'un reacteur ouvert a parois chaudes sous pression reduite. Une methode originale de transport chimique en enceinte fermee, basee sur une configuration a trois zones, est ensuite developpee et appliquee a l'epitaxie du germanium dans le systeme aux iodures, en vue notamment d'une meilleure connaissance des mecanismes de transfert de masse (diffusion-convection). Une transposition de cette methode au cas du silicium est enfin envisagee en vue d'ameliorer les profils de dopage aux interfaces entre les differentes couches des dispositifs de microelectronique