Abstract FR:

Preparation du semiconducteur alsb par croissance bridgman; caracterisation par effet hall et mesure de resistivite. Determination de la structure de bande par electroreflexion. L'etude des diodes schottky au-alsb(p) montre que le contact se comporte comme une structure mis avec une couche interfaciale isolante de 70 a d'epaisseur et une densite d'etats de surface de 5 x 10**(11) cm**(-2) cv**(-1)