Abstract FR:

Des heterostructures gaalsb/gasb et gaalassb/gasb ont ete monocristallisees par epitaxie en phase liquide. La caracterisation des alliages epitaxies montre que les depots sont d'excellente qualite. Le dopage residuel est fonction de la temperature de croissance. Des couches a dopage net n#dn#a=110#1#6 cm##3 ont ete obtenues par compensation au tellure. Des photodiodes a jonction p#+n et a geometrie mesa ont ete preparees par diffusion de zinc et photolithographie. Le maximum de sensibilite de ces diodes est 0,6 a/w a 1,3 m. Le courant inverse de la photodiode est controle par l'effet tunnel assiste par centres profonds situes en milieu de bande interdite. L'etude du bruit de fonctionnement en inverse montre que ce courant tunnel est multiplie. Le facteur de multiplication optimal est m#o#p#t=5. La puissance equivalente de bruit est peb=510##1#2w?hz##1#/#2. Une modelisation montre que d'excellents rendements quantiques peuvent etre obtenus a condition de reduire le dopage: (n#dn#a)10#1#5 cm##3. Dans la derniere partie, une etude des diagrammes de bandes d'energie de deux heterojonctions a base gasb est effectuee: l'heterojonction isotype inas#0#. #9#1sb#0#. #0#9(n)gasb(n) et ga#0#. #8#3al#0#. #1#7sb(p)gasb(n)