Abstract FR:

Ce travail concerne la passivation de l'interface dielectrique-inp. Son principal objectif est l'elaboration de dispositifs misfet avec une faible densite d'etats d'interface stables et avec des caracteristiques electriques reproductibles. Cette passivation est fondee sur les traitements de surface avec des elements de la colonne v: phosphore et arsenic. Ces elements sont introduits au cours de traitements thermiques par une pression partielle de phosphore ou d'arsenic. On effectue aussi des traitements chimiques avec une solution a base d'acide ortho-arsenique. Ces deux traitements reduisent considerablement la densite d'etats d'interface et ameliorent la stabilite electrique. L'al#2o#3 est employee comme dielectrique et depose par evaporation au canon a electrons. Cette etape cruciale de la passivation est optimisee notamment en ce qui concerne l'influence du flux d'electrons et du role de l'oxyde natif a la surface de l'inp. Enfin, en collaboration avec le cnet bagneux, nous avons etudie la stabilite electrique des composants misfet a isolant de grille uvdvd-sio#2 ou d'alumine sur oxyde anodique d'inp. Cette etude utilise a la fois l'analyse du bruit basse frequence et la mesure de la derive du courant de drain. Nous avons montre que la derive et le bruit bf ont la meme origine physique et donc que les mesures de bruit bf permettent avantageusement d'apprecier l'importance de la derive des composants misfet