Abstract FR:

Le depot par epitaxie par jet moleculaire constitue un procede tres utilise pour fabriquer des nanostructures. Nous allons au cours de cette these etudier deux aspects particuliers de la croissance des films minces par cette technique : la relaxation de forme des objets nanometriques et les interactions entre couches deposees et substrat. Lors d'un depot, des iles se forment sur le substrat puis coalescent jusqu'a former une couche complete. La forme de ces iles est dictee par la cinetique de croissance. Quels sont les mecanismes conduisant au retour vers la forme d'equilibre de ces cristaux ? a l'aide de simulations monte carlo cinetique, nous montrons que les theories habituelles de la relaxation par diffusion atomique de surface sont bien verifiees a haute temperature. A basse temperature, la presence de facettes modifie les mecanismes de relaxation. Nous mettons en evidence les nouvelles etapes limitantes de la relaxation a la fois pour des iles bi- et tridimensionnelles et etablissons les nouvelles lois d'echelle du temps de relaxation en fonction de la taille des cristaux. D'autre part, nous nous interessons aux interactions possibles entre couches deposees et substrat en tenant compte notamment de l'elasticite des materiaux. Plus precisement, les proprietes d'equilibre des reseaux d'iles coherentes contraintes dans des films minces bidimensionnels sont etudiees. Pour cela, l'equation donnant l'energie totale d'un reseau d'iles est etablie a partir de trois ingredients essentiels : les energies de surface, les energies elastiques du film et du substrat et les energies d'interaction entre iles. Chacun de ces termes est calcule en utilisant soit la theorie de l'elasticite, soit des simulations numeriques a partir d'un solide lennard-jones. En minimisant l'energie totale, nous montrons que des reseaux d'iles coherentes peuvent etre stables dans certaines conditions.