Caractérisation in-situ de processus de désoxydation et d'oxydation sur des surfaces métalliques et semiconductrices au moyen de l'émission photoélectrique induite par des impulsions laser
Institution:
Lyon 1Disciplines:
Directors:
Abstract EN:
Pas de résumé disponible.
Abstract FR:
Cette etude concerne la caracterisation in-situ des processus de desoxydation et oxydation par voie photochimique et photothermique au moyen d'impulsions laser uv ultra-breves. Notre objectif comprend a la fois l'etude experimentale et la modelisation des principales reactions photochimiques mises en jeu au cours de la desoxydation de systemes metalliques et de multicouches semi-conductrices, ainsi que lors de la reorganisation de la structure atomique de la surface consecutive a la desoxydation. Cette etude est complementaire de celles deja realisees sur le phenomene de desorption thermique essentiellement. La plupart des methodes d'analyse classique des surfaces (xps, auger et ups) ne sont pas adaptees a l'etude des systemes mettant en jeu un recouvrement important car le signal detecte sature au-dela d'une monocouche d'absorbat. Par consequent la cinetique du processus de surface ne peut pas etre suivie. C'est pourquoi nous avons developpe une nouvelle technique basee sur l'analyse du signal d'emission photoelectrique monophotonique produit par des impulsions laser ultra-breves. Ainsi, la reponse photoelectrique peut etre utilisee pour obtenir des informations sur la cinetique de desorption des surfaces ; de meme la modification des conditions experimentales (pression, longueur d'onde et fluence du laser) a permis d'accroitre nos connaissances relatives aux interactions laser-surface. Le suivi du signal d'emission photoelectrique permet egalement de determiner le seuil d'endommagement induit par laser avec une tres grande precision. Cette technique est basee sur une approche entierement nouvelle permettant l'observation in-situ des phenomenes dans la proximite du seuil de dommage. Etant donne la simplicite et la sensibilite elevee de cette methode, le seuil de dommage et les proprietes photoelectriques ont pu etre determines sur de nombreux materiaux (au, w, ta, al, carbone de type diamant, etc. ) pour differentes conditions d'irradiation.