Abstract FR:

Dans ce travail, nous nous sommes attaches a etudier les interfaces pd/si (111) et ag/si (111) par microscopie electronique a balayage et microspectrometrie auger. Nos investigations ont conduit aux resultats suivants: 1) systeme pd/si (111): pour des recouvrements inferieurs a quelques monocouches 5mc, la phase pd#2si croit sur la surface si (111) par couches alternativement riches et pauvres en atomes de silicium, a temperature ambiante. Les traitements thermiques entre 200 et 400#oc provoquent une segregation du silicium sur cette phase; 2) systeme ag/si (111): pour des temperatures superieures a 200#oc, l'argent croit sur le silicium (111) selon le mode stranski-krastanov. L'epaisseur de la couche segregee a ete estimee, a 400#oc, a environ 2/3 mc. En ce qui concerne la migration superficielle de l'argent, nous avons etabli que pour des temperatures comprises entre 400 et 450#oc, la diffusion des adatomes semble s'effectuer sur la couche 2d. Dans le domaine des hautes temperatures (t450#oc), l'extension laterale de la couche (2d) est limitee par la description des adatomes. A plus basse temperature, l'extension de cette couche pourrait etre controlee par l'autodiffusion de surface des atomes d'argent sur les ilots 3d avec une energie d'activation de l'ordre de 2,4 ev/atome