Abstract FR:

Les equations de transport phenomenologique (l'equation de poisson et les deux equations de conservation des particules electrons et trous plus deux equations definissant les cinetiques d'echange de deux centres profonds dans la bande interdite) sont resolues dans le cas d'un mecanisme de conduction ambipolaire en presence de pieges et dans le cas des tres faibles durees de vie. La methode de resolution consiste en une linearisation des equations de transport par la methode des differences finies. Le systeme est ensuite resolu par un algorithme couple du type newton. Les resultats sont obtenus, en regime stationnaire, pour deux structures du type p-v et p-v-n, en faisant varier la duree de vie ambipolaire de facon a passer d'un semiconducteur du type a relaxation a un semiconducteur a duree de vie. La simulation, en regime stationnaire des structures: diodes p-i-n, schottky et mesfet, permet d'illustrer l'influence de la presence de centres profonds sur les caracteristiques courant-tension des composants. Enfin, une etude du comportement, en regime transitoire, par simulation numerique, (experience de haynes-shockley) met en evidence un comportement totalement different entre un semiconducteur a duree de vie et un semiconducteur a relaxation