thesis

Contribution à l'étude de la technologie bipolaire STL : caractérisation, modélisation et simulation de diodes Schottky TiW-Si et PtSi-Si

Defense date:

Jan. 1, 1988

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Institution:

Bordeaux 1

Disciplines:

Natural sciences

Authors:

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Abstract EN:

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Abstract FR:

Etude detaillee des caracteristiques electriques des diodes tiw-si et ptsi-si en fonction de leur structure technologique et de leur dimension. Les modeles analytiques obtenus permettent de prevoir le comportement des portes en fonction des choix technologiques et des parametres d'utilisation comme la temperature