Abstract FR:

La technique du double canon a ions apres controle et optimisation des parametres de depot, permet de verifier le rendement de pulverisation quel que soit le materiau constitutif de la cible. Les experiences menees sur les oxydes de silicium et de tantale ont confirme les simulations du transport des ions dans la matiere. Nous avons pu verifier et expliquer le phenomene d'empoisonnement de la cible lors de l'utilisation d'un gaz reactif. La caracterisation par spectrophotometries ultraviolet, visible et infrarouge et la mesure de l'absorption par photothermie ont mis en evidence les performances des depots realises. La technique de la pulverisation ionique assistee montre la faisabilite d'empilements multidielectriques appliques a l'optique. Cette etude represente la synthese entre la modelisation, l'elaboration et la caracterisation de films minces d'oxydes deposes par pulverisation ionique assistee