Abstract FR:

Les coefficients de reflexion d'echantillons massifs de gasb et de couches epitaxiees gasb sur substrats conducteurs et isolants ont ete mesures dans le domaine infrarouge (10 a 600 cm**(-1)). L'exploitation des spectres permet de determiner les densites de porteurs et leurs mobilites. Des comparaisons avec les mesures d'effet hall, lorsque cela a ete possible, ont ete effectuees. Cette methode optique a ete appliquee aux couches de composes ternaires ga::(1)-::(x)a1::(x)sb et ga::(1-x)in::(x)sb