Abstract FR:

L'objectif de cette etude est de montrer que le depot chimique a partir d'une phase gazeuse permet l'obtention de materiaux sic-tic dispersoides a caracteristiques controlees. Au cours d'une etude thermodynamique du systeme si-ti-c, les enthalpies libres de la phase ternaire tl(ti#3si#2c#2) et de la solution solide t#2(ti#5si#3cx) ont ete estimees. A partir de ces donnees, une demarche previsionnelle exploitant le nombre de degre de liberte du systeme si-ti-cl-h a servi de guide au choix du melange de precurseurs gazeux pour le depot chimique: la combinaison sih#2cl#2-ticl#4-ticl#4-c#4h#10-h#2 a ete retenue. A partir de cette phase gazeuse les revetements ont ete elabores sur un substrat en molybdene dans un reacteur a parois froides. Les analyses par diffraction des rayons x (etat cristallin, orientation preferentielle), par microsonde electronique (composition elementaire), par microraman, ont mis en evidence l'influence des pressions partielles de ticl#4 et sih#2cl#2 sur la morphologie des depots aiguillee et colonnaire. La microscopie electronique en transmission a permis d'acceder a l'arrangement des phases en presence. La distribution nanometrique observee, compte tenu de la multiplicite des interfaces, semble tres prometteuse vis-a-vis du comportement mecanique. Les indentations realisees ont montre que la durete des multiphases etait fortement diminuee par rapport a celle des carbures constitutifs