Abstract FR:

Les transistors a effet de champ en films minces (tft) connaissent actuellement un developpement important: ils peuvent etre a base de materiaux covalents amorphes: les proprietes de ces materiaux sont dans les deux premiers chapitres comparees aux proprietes des materiaux moleculaires, en particulier la bisphtalocyanine de lutetium est un semiconducteur vrai. Il a ete precedemment demontre que ce compose pouvait etre utilise pour realiser des tft. Le dispositif experimental est introduit au chapitre 3: preparation des echantillons, mesure des epaisseurs des couches deposees, mesures electriques. Au chapitre 4, on a etudie les proprietes de conduction et la mobilite de deplacement dans la bisphtalocyanine de thulium: la conductivite a tension suffisamment elevee est limitee par charge d'espace, la mobilite de deplacement est voisine de 7 cm#2/v. S. , ce qui est une valeur elevee pour une couche mince organique. Le chapitre 5 est le plus important, on etudie la realisation de transistors a effet de champ, tout d'abord avec les phtalocyanines de metaux divalents, le zinc et le nickel sur des wafers si/sio#2. On etudie l'effet, sur ces transistors de differents parametresn, vitesse de depot, ecartement des electrodes, epaisseur des couches, vieillissement sous l'atmosphere. On etudie ensuite les tft a base de bisphtalocyanine de thulium, sur des wafers de silicium oxyde, puis sur differents substrats. On discute enfin des differents mecanismes rendant compte de l'effet de champ dans les materiaux moleculaires