Abstract FR:

On utilise la sulfuration assistee par plasma hf pour la passivation du inp a basse temperature car l'interface n'est thermochimiquement stable que si elle est formee au dessous d'une temperature de 315**(o)c. On demontre le caractere dualiste des mecanismes de croissance et de bombardement ionique d'une couche de sulfure au contact d'une decharge electroluminescente de h::(2)s. Des modeles, resultant de caracterisationspar spectroscopie xps, ellipsometrie, ect. , sont proposes pour rendre compte de la composition des couches de sulfure formees en fonction des conditions de plasma hf de h::(2)s. On etudie les proprietes electriques de l'interface sulfure plasma inp sur des structures mis en vue de la realisation de transistors misfet-inp