Abstract FR:

Ce memoire est une contribution a l'etude des proprietes electroniques d'un semiconducteur lamellaire (wse#2) et des proprietes de l'interface wse#2/electrolyte aqueux (i#/i#2). Ce travail s'appuie sur differentes techniques electriques (effet hall, i(v), c(v), g(v), g(),. . . ) et optiques (absorption, photoconduction,. . . ). Il aboutit a une description claire des effets observes en prenant en compte l'influence preponderante des defauts de surface (marches) toujours presents a la surface des monocristaux, mais dont la concentration peut etre modifiee de maniere controlee. C'est ainsi que sont expliquees: la relation entre courant inverse d'obscurite et densite de defauts de surface, en particulier l'effet de quasi court-circuit par les extremites des plans // a l'axe c; la limitation du courant direct a l'interface wse#2/electrolyte aqueux (i#/i#2) par la vitesse de renouvellement a la cathode de l'espece i#2; la decroissance du photocourant aux faibles longueurs d'onde due au fait que la longueur de penetration des photons devient du meme ordre de grandeur que la hauteur des marches; la limitation du rendement des cellules photogalvaniques par les defauts de surface