Asymptotical models and numerical schemes for quantum systems
Institution:
Toulouse 3Disciplines:
Directors:
Abstract EN:
The present PhD thesis is concerned with the mathematical modelling and the numerical simulation of the electron transport in nanoscale semiconductor devices. Different transport models are introduced and analyzed, aimed to describe the various regions of a MOSFET transistor. We focus our attention particularly on the modelling of quantum effects taking place in such devices (self-consistent Schrödinger-Poisson system with open boundary conditions).
Abstract FR:
Cette thèse s'intéresse à la modélisation mathématique et à la simulation numérique du transport électronique dans des dispositifs semiconducteurs nanométriques. Différents modèles de transport, destinés à la description des diverses régions d'un transistor MOSFET, sont introduits et analysés. Une attention particulière est portée sur la modélisation des effets quantiques ayant lieu dans ces dispositifs (système auto-consistant de Schrödinger/Poisson avec des conditions aux bords ouvertes).