thesis

Fiabilité des systèmes mécatroniques : expérimentation et modélisation, applications sur les HEMTs GaN

Defense date:

Dec. 9, 2020

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Institution:

Normandie

Disciplines:

Mechanical engineering

Authors:

Directors:

Abstract EN:

This document presents a study of the mechanical behavior of GaN transistors from two sectors A and B. Performance and reliability are linked to self-heating in the components, which can lead to mechanical deformations. It is necessary to uncover the mechanical behavior under real conditions of use. For these reasons, strain measurements were performed using a non-contact optical measurement method, speckle interferometry, on new as well as aged components in DC pulsed and CW operating mode. A thermomechanical model was developed to validate the experimental measurements. The simulation results were compared to measurements of displacement of a point on the periphery of the hot spot.

Abstract FR:

Ce document présente une étude du comportement mécanique des transistors GaN issus de deux filières A et B. Les performances et la fiabilité sont liées à l’auto-échauffement dans les composants, qui peut entrainer des déformations mécaniques. Une découverture du comportement mécanique sous conditions réelles d’utilisation, est nécessaire. Pour ces raisons, des mesures des déformations ont été réalisées par une méthode optique de mesure sans contact, l’interférométrie de speckle, sur des composants neufs ainsi que vieillis en mode de fonctionnement DC pulsé et CW. Un modèle thermomécanique a été développé pour valider les mesures expérimentales. Les résultats de simulation ont été comparés à des mesures de déplacement d’un point en périphérie du point chaud.