Abstract FR:

La realisation des composants semi-conducteurs et l'evolution rapide de leurs applications exigent une bonne connaissance des parametres qui regissent leur comportement statique et dynamique. Le probleme de leur caracterisation se pose donc a chaque etape de la fabrication de ces composants. Diverses methodes de determination et divers appareils sont couramment employes. Ils peuvent etre classes en deux groupes : methode et appareillages a contacts du type microsondage resistif ou releve de potentiel. Methodes et appareillages sans contact, du type microsondage optique. Ce travail a consiste en la realisation et la mise en oeuvre de divers appareillages de caracterisation mettant en jeu plusieurs techniques d'evaluation applicables aux semi-conducteurs a savoir : cartographie de potentiel et de densite de courant, microsondage resistif "spreading resistance", cartographie de temperature (microscopie ou thermographie i. R. ), determination d'epaisseurs de couches epitaxiees ou triple diffusees