thesis

Croissance du semiconducteur Pb1-xSnxTe en configuration "3 zones" par PVT : aspects thermodynamique et hydrodynamique, caractérisation

Defense date:

Jan. 1, 1986

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Institution:

Bordeaux 1

Abstract EN:

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Abstract FR:

Optimisation de la croissance par selection d'un profil de temperatures pour chaque composition. Caracterisation electrique et proposition d'un modele mettant en jeu des niveaux d'impuretes liees aux lacunes de metal et de chalcogene. Etude par diffraction rx de la qualite cristalline et par microsonde de l'homogeneite