Abstract FR:

Des couches minces semi-conductrices sont obtenues par la pulverisation cathodique de cibles ceramiques de composition mn#3o#4, mn#2#,#2#5ni#0#,#7#5o#4, et mn#1#,#8#6ni#0#,#6#9cu#0#,#4#5o#4. Les manganites mixtes, en particulier, sont utilises en tant que thermistances grace a un coefficient de temperature negatif eleve (ctn). Le controle des parametres experimentaux de pulverisation d'une cible de mn#3o#4, permet de modifier la vitesse de condensation et l'etat de cristallisation des depots. L'introduction d'oxygene dans le gaz de decharge diminue les vitesses de condensation, contribue a leur affinement microstructural, et a une importance majeure sur la composition des films condenses pour un meme materiau cible mn#3o#4. La resistivite des films d'oxyde est inferieure a celle des materiaux massifs, et l'energie d'activation associee semble controlee par un niveau d'impuretes existant au sein du depot. Les depots de dioxyde de manganese mno#2 sont aisement reductibles par des traitements thermiques sous air inferieurs a 500c. Leurs proprietes electriques (resistivite, energie d'activation) diminuent simultanement en fonction de la temperature de recuit. La pulverisation de cibles de manganites de nickel et de nickel-cuivre permet de condenser des couches minces, de microstructure colonnaire, presentant des proprietes de thermistances. En introduisant une faible proportion d'oxygene dans le plasma, il est possible d'ajuster les proprietes electriques des films a des valeurs proches de celles des ceramiques massives. Cependant, dans le cas de certains films de manganites de nickel, la derive electrique sous contrainte thermique est tres superieure a celle classiquement mesuree sur le materiau massif